原廠三菱IGBT模塊現(xiàn)貨供應(yīng)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體...
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原廠三菱IGBT模塊現(xiàn)貨供應(yīng)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體...
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熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi)；運(yùn)用這種原理制成的一種電流...
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英飛凌是半導(dǎo)體科技公司，致力于打造一個(gè)更加便利、安全和環(huán)保的世界。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案，實(shí)現(xiàn)高效的能源管理、智能出行以及安全、無(wú)縫通信，連接現(xiàn)實(shí)與數(shù)字世界。原廠英飛凌INFINEON現(xiàn)貨供應(yīng)可...
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英飛凌INFINEON二極管模塊，英飛凌是半導(dǎo)體科技公司，致力于打造一個(gè)更加便利、安全和環(huán)保的世界。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案，實(shí)現(xiàn)高效的能源管理、智能出行以及安全、無(wú)縫通信，連接現(xiàn)實(shí)與數(shù)字世界。
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英飛凌是半導(dǎo)體科技公司，致力于打造一個(gè)更加便利、安全和環(huán)保的世界。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案，實(shí)現(xiàn)高效的能源管理、智能出行以及安全、無(wú)縫通信，連接現(xiàn)實(shí)與數(shù)字世界。IGBT模塊英飛凌INFINEON現(xiàn)...
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SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器。通過(guò)多渠道采購(gòu)的IGBT以及賽米控CAL二極管...
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德國(guó)Semikron賽米控的分立二極管主要有三種封裝形式：軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復(fù)型、標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型、（平板型）焊接二極管。晶閘管模塊賽米控SEMIKRON原廠原裝型號(hào)齊全
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德國(guó)Semikron賽米控的分立二極管主要有三種封裝形式：軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復(fù)型、標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型、（平板型）焊接二極管。供應(yīng)全新賽米控SEMIKRON二極管模塊
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SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器。原廠賽米控SEMIKRON現(xiàn)貨供應(yīng)可控硅模塊
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Bussmann創(chuàng)建于1914年美國(guó)，現(xiàn)在是Eaton伊頓旗下品牌，主要產(chǎn)品包括：Bussmann熔斷器、快速熔斷器、超級(jí)電容、Bussmann固態(tài)控制器、Bussmann保險(xiǎn)絲、Bussmann斷開(kāi)...
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IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
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IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國(guó)并在美國(guó)納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
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產(chǎn)品展示product
產(chǎn)品分類分立半導(dǎo)體模塊
電氣保護(hù)裝置
IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、...
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IGBT在高頻下工作時(shí)，其總損耗與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此，若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開(kāi)關(guān)主要是降低了開(kāi)關(guān)損耗，可使IGBT模塊工作頻率大大提高。隨著...
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德國(guó)英飛凌可控硅模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯(lián)、 DD 雙二極管串聯(lián) 、 TZ 單可控硅模塊等7種，具體見(jiàn)產(chǎn)品詳情?？捎糜趲缀跛邢辔豢刂苹蛘髌髦?。德國(guó)英飛凌可控硅模塊晶閘管全新...
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多脈沖整流技術(shù)按整流的波頭多少可以分為12、18、24等脈沖整流器。脈沖數(shù)越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復(fù)雜。全系列 西門康整流橋模塊原裝現(xiàn)貨直供
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SKKH系列全新西門康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 。體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而...
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可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸?..
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